[发明专利]用于毫米波应用的基于氮化镓的跨电容器在审
| 申请号： | 201980034678.2 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN112189263A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | G·陶;李夏;B·杨;P·奇丹巴拉姆 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/205;H01L21/334;H01L29/94 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈炜;亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的某些方面提供了半导体可变电容器。半导体可变电容器通常包括：第一半导体区，该第一半导体区具有第一掺杂类型；第二半导体区，该第二半导体区具有不同于该第一掺杂类型的第二掺杂类型；第三半导体区，该第三半导体区布置在该第一半导体区和该第二半导体区之间：第一端子，该第一端子布置成毗邻于该第一半导体区；第二端子，该第二端子布置成毗邻于该第二半导体区；以及第三端子，该第三端子布置在该第三半导体区上方。该第一半导体区、该第二半导体区和/或该第三半导体区包括氮化镓。该第三半导体区包括具有不同材料的多个半导体层。该第一端子和该第三端子之间的电容被配置成通过改变施加到该第一端子或该第二端子中的至少一者的控制电压来调节。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 毫米波 应用 基于 氮化 电容器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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