[发明专利]低钒离子渗透性的细孔填充型两性膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201980034944.1 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN112166517A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 崔荣祐;李美顺;尹英基;金太荣;徐旼昊;金范埈;郑治永;李钟敏 | 申请（专利权）人： | 东丽尖端素材株式会社 |
| 主分类号： | H01M8/1041 | 分类号： | H01M8/1041;H01M8/1058;H01M8/1086;H01M8/1072;H01M8/1032;H01M8/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 金玲;崔成哲 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种低钒离子渗透性的细孔填充型两性膜、其制备方法以及包括所述两性膜的钒氧化还原液流电池。所述低钒离子渗透性的细孔填充型两性膜可最大程度地减少氧化还原液流电池中阳极电解质与阴极电解质之间发生的钒离子交叉，并具有低的膜电阻，从而可有用地用于制备与诸如Nafion之类的商用离子交换膜相比性能显着提高的氧化还原液流电池。另外，由于其通过卷对卷工艺连续制备，所以制备工艺简单，可以大大降低制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 渗透性 细孔 填充 两性 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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