[发明专利]通过金属-半导体辅助外延提高超宽带隙半导体的掺杂效率在审
| 申请号： | 201980035103.2 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN112166488A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 刘先河;A·潘迪;米泽田 | 申请（专利权）人： | 密歇根大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/288;H01L21/768;H01L21/28;H01L33/00;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 赵楠 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种超宽带隙氮化铝镓(AIGaN)的外延生长工艺，称为金属‑半导体结辅助外延。使用等离子体辅助分子束外延在富含金属(例如，富含Ga)的条件下进行AlGaN的外延。过量的Ga层在掺杂镁(Mg)的AlGaN外延期间导致金属‑半导体结的形成，这使费米能级远离生长前沿的价带。费米能级位置与掺镁元素解耦。也就是说，尽管掺入了p型掺杂剂，但是表面带弯曲仍允许近n型生长前沿的形成。通过在外延期间通过原位金属‑半导体结来控制费米能级的调节，可以为大带隙AIGaN实现有效的p型导通。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 金属 半导体 辅助 外延 提高 宽带 掺杂 效率 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于密歇根大学董事会，未经密歇根大学董事会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980035103.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
