[发明专利]保持装置及保持装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980035141.8 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112166496A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 栗林诚;井上真宏;榊原利真 | 申请（专利权）人： | 日本特殊陶业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C04B37/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王兆阳;苏卉 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明抑制产生温度特异点。保持装置经由接合部将陶瓷构件与基座构件接合。在将与第一方向大致垂直的方向设为第二方向、将与第一方向和第二方向都大致垂直的方向设为第三方向时，接合部包括第一接合部分和第二接合部分，该第一接合部分在第一方向观察下从接合部的第二方向的一端配置到另一端，并在与第二方向大致垂直的任意截面处，第一方向的厚度大致均等，且在与第三方向大致垂直的任意截面处，第一方向的厚度大致均等，该第二接合部分在第三方向上相对于第一接合部分位于接合部的至少一端侧，且在与第二方向大致垂直的任意截面处，第一方向的厚度从第一接合部分侧朝接合部的端侧变厚。 | ||
| 搜索关键词： | 保持 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
