[发明专利]气体阻隔性基材、其制造方法、具备该气体阻隔性基材的电子器件在审
| 申请号： | 201980035362.5 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN112166034A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 井宏元;牧岛幸宏 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B05D7/24;B32B9/04;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/44;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;赵青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的课题在于提供可采用在成本和生产率上有利的涂布等湿式形成法且具有可用于电子器件的优异的气体阻隔性的气体阻隔性基材、其制造方法、具备该气体阻隔性基材的电子器件。本发明的气体阻隔性基材的特征在于，在基材上至少设置有气体阻隔层，在上述基材与上述气体阻隔层之间具有分子转化层，该分子转化层通过与使用上述气体阻隔性基材的环境下的气体成分的反应而含有释放出氟化物的有机金属氧化物的单体或缩聚物。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 阻隔 基材 制造 方法 具备 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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