[发明专利]利用背侧硅化的基于体层转印的开关在审
| 申请号： | 201980036010.1 | 申请日： | 2019-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN112236865A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | S·格科特佩里;G·P·埃姆图尔恩;R·P·K·维杜拉;P·克拉克 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/762;H01L29/786;H01L21/285;H01L21/74;H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种射频集成电路开关包括半导体管芯，该半导体管芯具有在半导体管芯的第一侧(例如，前侧)上具有栅极的晶体管。半导体管芯可以包括体半导体衬底或晶片(例如，硅衬底或晶片)。半导体管芯还可以包括第一深沟槽隔离(DTI)区域，该第一深沟槽隔离(DTI)区域从半导体管芯的前侧延伸到与该前侧相对的背侧。射频集成电路开关还包括本体接触层，该本体接触层位于半导体管芯的背侧上。本体接触层耦合到晶体管的本体的背侧。晶体管的本体可以具有第一P型区域(例如，P+区域)。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 背侧硅化 基于 体层转印 开关 | ||
【主权项】：
暂无信息
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