[发明专利]光电探测器及其制造方法在审
| 申请号： | 201980036202.2 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112534590A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张毅;H·阿贝戴斯尔;A·J·齐尔基 | 申请（专利权）人： | 洛克利光子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/028;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;陈岚 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种硅基光电探测器及其制造方法。所述光电探测器包括：硅衬底(201)；掩埋氧化物层(202)，所述掩埋氧化物层在所述硅衬底上方；以及波导(203)，所述波导在所述掩埋氧化物层上方。所述波导(203)包括含硅Si区和含锗锡GeSn区(209)，这两者都位于所述波导(203)的第一掺杂区(206)与第二掺杂区(207)之间，从而形成PIN二极管。所述第一掺杂区(206)和所述第二掺杂区(207)分别连接到第一电极(210a)和第二电极(210b)，使得所述波导(203)能够作为光电探测器进行操作。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
