[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法在审
| 申请号： | 201980036610.8 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN112219265A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 藤原直澄;山口佑;尾辻正幸;加藤雅彦;佐佐木悠太;髙桥弘明 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;F26B5/06;F26B5/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的衬底处理方法包含：混合干燥辅助物质供给步骤，将混合干燥辅助物质供给至衬底的表面，所述混合干燥辅助物质由干燥辅助物质、第1溶剂、以及与所述干燥辅助物质及所述第1溶剂不同的药剂相互混合所得；固化膜形成步骤，通过使所述第1溶剂从存在于所述衬底表面的所述混合干燥辅助物质蒸发且使所述混合干燥辅助物质中包含的所述干燥辅助物质固化，而形成包含所述干燥辅助物质及所述药剂的固化膜；及去除步骤，将所述固化膜中包含的所述干燥辅助物质去除。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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