[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980037069.2 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN112219274A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 羽根田雅希 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/532;H01L27/00;H01L27/146;H01L27/088;H04N5/369;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 乔焱;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种进一步减小以任意布局配置的配线的配线间电容的半导体装置。半导体装置(1)设置有：第一配线间绝缘层(120)，其设置在基板(100)上，并在与基板相反的一侧具有凹部；第一配线层(130)，其设置在第一配线间绝缘层的凹部的内部；密封膜(140)，其沿着第一配线层和第一配线间绝缘层的凹凸形状设置；第二配线间绝缘层(220)，其以覆盖凹部的方式设置在第一配线间绝缘层上，并且具有与凹部相对的平坦表面；以及空隙(150)，其设置在第二配线间绝缘层和第一配线层与第一配线间绝缘层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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