[发明专利]外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片在审
| 申请号： | 201980037347.4 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN112514036A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 古贺祥泰 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;C23C16/02;C23C16/24;C30B25/20;C30B29/06;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/22;H01L21/223 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 梅黎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够制造在抑制外延缺陷的形成的同时具有高吸杂能力的外延硅晶片的方法及外延硅晶片。本发明的外延硅晶片的制造方法的特征在于，包括：第1工序，对具有正面、背面及边缘区域的硅晶片，在含碳气体气氛下以800℃以上且980℃以下的温度实施热处理，在硅晶片的至少正面侧的表层部形成碳扩散层；以及第2工序，在形成于硅晶片的正面侧的表层部的碳扩散层上，以900℃以上且1000℃以下的温度形成硅外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980037347.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：产生熔融硅装置
- 下一篇：用于被动式冷却的系统和方法以及用于其的散热器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
