[发明专利]使用吸收局部箔层位移的膨胀空间来封装安装在载体上的电子元件的方法、箔片、模具部件和表面层在审
申请号: | 201980037500.3 | 申请日: | 2019-06-04 |
公开(公告)号: | CN112219267A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | J·L·G·M·维诺伊 | 申请(专利权)人: | 贝斯荷兰有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;B29C45/14 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人: | 尹振启 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种封装安装在载体上的电子元件的方法,该方法包括以下处理步骤:用箔层包覆模具部件;将具装有电子元件的载体放置在两个模具部件之间;使模具部件彼此相对移动;将封装材料带入模腔;使模具部件分离,并取出具有模制电子元件的载体。本发明还涉及用于根据本发明的方法封装电子元件的箔片和模具部件。本发明还涉及一种用于可拆卸地连接至金属模具基体的表面层。 | ||
搜索关键词: | 使用 吸收 局部 位移 膨胀 空间 封装 安装 载体 电子元件 方法 模具 部件 表面 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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