[发明专利]原位温度感测衬底、系统及方法有效
| 申请号： | 201980037539.5 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN112219272B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 厄尔·詹森 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种用于检测在环境中施加于衬底上的温度分布的传感器。所述传感器包含传感器衬底与形成于所述传感器衬底上的一或多个温度感测元件。在实施例中，温度感测元件包含：至少一个腔，其具有安置于所述腔内的热膨胀材料；及通道，其从所述腔延伸且具有安置于所述通道内的棒。在实施例中，所述腔具有固定体积且由安置于或形成于所述腔上方的盖层围封。所述热膨胀材料经配置以从所述腔延伸到所述通道中而将所述棒从所述通道内的第一位置致动到所述通道内的至少第二位置，其中所述棒的所述位置指示所述传感器衬底的相应部分的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 温度 衬底 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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