[发明专利]双栅极导体晶体管及相关方法有效
| 申请号： | 201980037906.1 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN112236864B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | T·K·卡斯特罗;M·A·祖尼加;B·法特米扎德赫;A·布兰德;J·夏;R·辛格;M·徐;C-N·倪 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L29/40;H01L29/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构和垂直栅极。该垂直栅极包括：(a)第一栅极导体和第二栅极导体，各自在厚度方向上从该硅半导体结构的第一外表面延伸到该硅半导体结构中，(b)第一隔离电介质层，该第一隔离电介质层在该垂直栅极内将该第一栅极导体与该第二栅极导体隔离，以及(c)栅极电介质层，该栅极电介质层将该第一栅极导体和该第二栅极导体中的每一个与该硅半导体结构隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 导体 晶体管 相关 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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