[发明专利]用于存储器单元的电极的制造在审
| 申请号： | 201980037994.5 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN112236866A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 郑鹏园;永军·J·胡;Y·吉恩;李红旗;A·戈蒂 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;H01L21/304;H01L21/321;H01L21/768;H01L27/11585;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了用于制造存储器单元的方法、系统和装置。电极层在形成之后可具有初始厚度变化。可在形成存储器单元的附加层之前使所述电极层平滑，从而减小所述厚度变化。所制造的后续层的厚度变化可取决于所述电极层的所述厚度变化。通过在形成所述后续层之前减小所述电极层的所述厚度变化，所述后续层也可以具有减小的厚度变化。所述后续层的所述减小的厚度变化可影响由所述后续层形成的存储器单元的电性能。在一些情况下，所述后续层的所述减小的厚度变化可允许此类存储器单元的更可预测的电压阈值，从而增加了所述存储器单元的读窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 单元 电极 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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