[发明专利]通过锌掺杂增强金属衬里的钝化和粘附在审
| 申请号： | 201980038040.6 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN112236845A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 耶迪·N·道尔迪;安鲁达哈·乔伊;史蒂文·詹姆斯·马德森;德赖斯·狄克特斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/28;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法包括：在电介质层上沉积阻挡层，以防止由于所述电介质层中存在氧化物而导致待通过电镀而沉积的金属层氧化；以及在所述阻挡层上沉积掺杂的衬里层，以与待通过所述电镀而沉积在所述衬里层上的所述金属层结合。当在所述电镀之前所述衬里层的表面暴露于空气时，所述掺杂剂在所述表面上形成保护性钝化层，并且在所述电镀期间溶解，使得通过所述电镀沉积在所述衬里层上的所述金属层与所述衬里层结合。所述掺杂剂与所述电介质层反应并且在所述阻挡层与所述电介质层之间形成化合物层。所述化合物层防止由于所述电介质层中存在的所述氧化物而导致的所述阻挡层和所述衬里层的氧化，并且将所述阻挡层粘附到所述电介质层上。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 掺杂 增强 金属 衬里 钝化 粘附 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
