[发明专利]阳极氧化铝作为用于等离子体蚀刻的硬掩模在审
| 申请号： | 201980038751.3 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN112262458A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 刘婵媛;李石柯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/027;H01L21/3213;H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 铝籽晶层沉积在晶片上方。光致抗蚀剂材料层沉积在铝籽晶层上。使光致抗蚀剂材料图案化和显影，以穿过光致抗蚀剂材料中的开口暴露铝籽晶层的部分。在晶片上执行电化学转化工艺，以将铝籽晶层的穿过光致抗蚀剂材料中的开口暴露的部分电化学转化为阳极氧化铝(AAO)。该AAO包括延伸穿过该AAO的孔图案，以暴露出晶片的顶表面的在铝籽晶层下方的区域。从晶片去除光致抗蚀剂材料。使晶片暴露于等离子体以在晶片的顶表面的通过AAO中的孔图案暴露的区域处将孔蚀刻到晶片中。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 氧化铝 作为 用于 等离子体 蚀刻 硬掩模 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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