[发明专利]单束等离子体源在审
| 申请号： | 201980040087.6 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN112334594A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 范启华;托马斯·许尔克;拉尔斯·豪博尔德;迈克尔·佩措尔德 | 申请（专利权）人： | 密歇根州立大学董事会;费劳恩霍费尔美国公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人： | 高源;李建航 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了单束等离子体或离子源装置(21，221，321，421，521)。另一方面采用离子源(25)，该离子源包括以基本上E形的截面形状布置的多个磁体(91)和多个磁分路器(93)。离子源的另一方面包括磁体和/或磁分路器，所述磁体和/或磁分路器产生具有位于等离子体源内的开放空间中的中心凹陷(117)或向外起伏的磁通量(115)。在另一方面，离子源包括附接至围绕磁体的阳极体(97)的可移除盖(73、573)。又一方面提供了单束等离子体源(221、521)，该单束等离子体源与靶溅射同时并且在相同的内部压力下产生离子。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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