[发明专利]基于机器学习的逆光学邻近效应校正和过程模型校准在审
| 申请号： | 201980040229.9 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN112384860A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 马里纳斯·范登布林克;曹宇;邹毅 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了一种用于校准过程模型和训练图案化过程的逆过程模型的方法。训练方法包括：根据对基于晶片目标布局预测图案形成装置图案的逆光刻过程的模拟，获得第一图案形成装置图案；接收与使用第一图案形成装置图案曝光的晶片相对应的晶片数据；以及训练逆过程模型，该逆过程模型被配置成使用与曝光后的晶片相关的晶片数据和第一图案形成装置图案来预测第二图案形成装置图案。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 机器 学习 逆光 邻近 效应 校正 过程 模型 校准 | ||
【主权项】：
暂无信息
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