[发明专利]碳化硅单晶及其制造方法有效
| 申请号： | 201980040774.8 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN112334607B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 徳田雄一郎;上东秀幸;星乃纪博;土田秀一;镰田功穗 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;一般财团法人电力中央研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在SiC单晶(6)的生长中添加重金属元素，将其添加密度设定为1×10 |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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