[发明专利]用于每列具有两个位线的电阻式随机存取存储器阵列的电路和布局在审
| 申请号： | 201980040813.4 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN112292728A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | J·L·麦科勒姆 | 申请（专利权）人： | 美高森美SOC公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于包括ReRAM单元的行和列的ReRAM存储器单元阵列的布局，每个ReRAM单元位于所述ReRAM单元的行和列中。每个ReRAM单元包括ReRAM器件。第一晶体管耦接在该ReRAM器件和与包含该ReRAM单元的列相关联的第一位线之间。该第一晶体管具有耦接到与包含该ReRAM单元的行相关联的第一字线的栅极。第二晶体管耦接在该ReRAM器件和与包含该ReRAM单元的列相关联的第二位线之间。该第二晶体管具有耦接到与包含该ReRAM单元的行相关联的第二字线的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 个位 电阻 随机存取存储器 阵列 电路 布局 | ||
【主权项】：
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