[发明专利]集成电路中的薄膜电阻器及其制造方法在审
| 申请号： | 201980040967.3 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112335065A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 冷耀俭;J·萨托;G·斯托姆 | 申请（专利权）人： | 微芯片技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在集成电路(IC)结构中制造薄膜电阻器(TFR)模块的方法。TFR沟槽可形成于氧化物层中。可在该结构上方沉积电阻TFR层并使其延伸到沟槽中。可通过CMP移除TFR层在沟槽外部的部分以限定TFR元件，该TFR元件包括横向延伸的TFR底部区域和从横向延伸的TFR底部区域向上延伸的多个TFR脊。可进行至少一次CMP以移除全部或部分的氧化物层以及TFR脊的至少部分高度。然后，可在TFR元件的相对端部区域上方形成一对间隔开的金属互连件，其中每个金属互连件与各自的向上延伸的TFR脊接触，从而经由TFR元件限定金属互连件之间的电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 中的 薄膜 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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