[发明专利]前侧型图像传感器和制造这种传感器的方法在审
| 申请号： | 201980041160.1 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN112292760A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 沃尔特·施瓦岑贝格;M·塞列尔;卢多维克·埃卡尔诺 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王万影;王小东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种前侧型图像传感器，所述前侧型图像传感器依次包括：半导体支撑衬底(1)；第一电绝缘分隔层(2a)；以及被称为有源层的单晶半导体层(3a)，所述单晶半导体层(3a)包括光电二极管的矩阵阵列，所述传感器的特征在于，它在支撑衬底(1)与第一电绝缘层(2a)之间还包括：第二电绝缘分隔层(2b)和第二导电或半导体层(4)，所述第二导电或半导体层(4)被称为中间层，被布置在第二分隔层(2b)与第一分隔层(2a)之间，第二分隔层(2b)比第一分隔层(2a)厚。 | ||
| 搜索关键词： | 前侧型 图像传感器 制造 这种 传感器 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索泰克公司，未经索泰克公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980041160.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
