[发明专利]用于存储电路的多重读取和多重写入的技术在审

专利信息
申请号: 201980041344.8 申请日: 2019-11-15
公开(公告)号: CN112384980A 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: M·M·黑勒亚;S·保罗;C·奥古斯丁;T·马朱姆达;S·邦 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C11/419 分类号: G11C11/419;G11C11/412
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 舒雄文
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实施例包括用于利用一组存储单元来实现多重读取和/或多重写入过程的装置、方法和系统。该组存储单元可以被与相同的感测放大器复用。作为多重读取过程的一部分,耦合到存储电路的存储控制器可以对与该组存储单元相关联的位线进行预充电,提供字线上的字线信号的单个断言,并且然后基于预充电和字线信号的单个断言依次从该组存储单元读取数据(使用感测放大器)。附加地或替代地,可以执行多重写入过程以基于相关联的位线的一个预充电来将数据依次写入到该组存储单元。可以描述和要求保护其他实施例。
搜索关键词: 用于 存储 电路 多重 读取 写入 技术
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980041344.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top