[发明专利]具有三维鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元及其制造方法

摘要

本发明公开了存储器设备，该存储器设备包括半导体衬底上表面中的多个向上延伸的鳍。存储器单元形成在鳍中的第一鳍上，并且包括源极区和漏极区，该源极区和该漏极区在第一鳍中间隔开，其中沟道区沿第一鳍的顶表面和相对的侧表面在源极区和漏极区之间延伸。浮栅沿沟道区的第一部分延伸。选择栅沿沟道区的第二部分延伸。控制栅沿浮栅延伸。擦除栅沿源极区延伸。鳍中的第二鳍具有在第一方向上延伸的长度，该第一方向垂直于第一鳍的长度延伸的第二方向。源极区在第一鳍和第二鳍的交汇处形成于第一鳍中。