[发明专利]碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201980041859.8 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN112335057A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 堀勉;塩见弘;宫濑贵也 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;C23C16/30;C23C16/42;C30B25/20;C30B29/36;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/161;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
碳化硅外延层包括第一碳化硅层、第二碳化硅层、第三碳化硅层以及第四碳化硅层。第二碳化硅层的氮浓度随着从第一碳化硅层朝向第三碳化硅层而增加。从第三碳化硅层的氮浓度减去第一碳化硅层的氮浓度而得到的值除以第二碳化硅层的厚度所得的值为6×10 |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 衬底 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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