[发明专利]用于沉积系统的高流量多通活塞阀有效
| 申请号： | 201980042137.4 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN112368816B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·艾萨克·福特纳;罗伯特·拉什;亚伦·贝尔克;冯敬斌 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 与用于将膜沉积在晶片上的处理室一起使用的阀组件。阀主体围绕孔腔并包括入口、第一出口和第二出口，出口中的至少一者通向处理室内。活塞包括具有第一流动路径的第一区段和具有第二流动路径的第二区段。线性运动致动器适于与活塞耦合并控制活塞通过孔腔在第一位置和第二位置之间的线性运动。在第一位置中，活塞的第一区段与入口对齐，使得流体经由第一流动路径流至第一出口。在第二位置中，活塞的第二区段与入口对齐，使得流体经由第二流动路径流至第二出口。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 系统 流量 活塞 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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