[发明专利]含金属硬掩模薄膜的选择性生长在审
| 申请号： | 201980043731.5 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN112368804A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 大卫·查尔斯·史密斯;乔恩·亨利;丹尼斯·M·豪斯曼;保罗·C·莱曼利 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/768;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文提供用于选择性生长含金属硬掩模的方法和装置。所述方法包括：提供具有分隔特征的图案的衬底，各特征具有顶部水平表面；用含碳材料填充分隔特征之间的空间，以形成具有特征的顶部水平表面和含碳材料的平坦表面；相对于含碳材料在特征的顶部水平表面上选择性地沉积含金属硬掩模；以及相对于含金属硬掩模和特征而选择性地移除含碳材料。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 硬掩模 薄膜 选择性 生长 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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