[发明专利]原子层沉积工艺中的氧化转化在审
| 申请号： | 201980044136.3 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN112335019A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·沃尔特·阿格纽;约瑟夫·R·阿贝尔;巴特·简·范施拉芬迪克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065;H05H1/46;H01J37/32;H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
描述了一种用于处理衬底的方法。将气相的第一反应物引入其中具有该衬底的反应室中。允许该第一反应物被吸附到该衬底的表面上。在该第一反应物的流停止之后，从该反应室中清扫该第一反应物的未反应部分。在该第一反应物被吸附到该衬底的表面上的同时，将该第二反应物以气相引入该反应室。该第二反应物包括比例为1∶1∶1的二氢(H |
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| 搜索关键词： | 原子 沉积 工艺 中的 氧化 转化 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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