[发明专利]使用含硫工艺气体的含碳硬掩模去除工艺在审
| 申请号： | 201980044844.7 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN112368805A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 戴芬;T·王;O·D·简;M-H·基姆;马绍铭;Z·刘 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 郗名悦;闫茂娟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于在工件上进行硬掩模(例如，含碳硬掩模)去除工艺的装置、系统和方法。在一个示例实施中，工艺可包括允许工艺气体进入等离子体腔室，使用感应耦合的等离子体源从工艺气体在等离子体腔室中生成等离子体，和将含碳硬掩模暴露于等离子体以去除至少一部分的含碳硬掩模。工艺气体可包括含硫气体。工艺气体不包括含卤素气体。感应耦合的等离子体源可通过接地的静电屏蔽与等离子体腔室分开以减少感应耦合的等离子体源和等离子体之间的电容耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 工艺 气体 含碳硬掩模 去除 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
