[发明专利]半导体设备制造中材料去除和表面处理的整合在审

专利信息
申请号: 201980044918.7 申请日: 2019-11-22
公开(公告)号: CN112368803A 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 杨晓晅;仲華;吕新亮;李昊辰;谢挺;张祺 申请(专利权)人: 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01J37/32;H01L21/285;H01L21/3213;H01L21/67
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 闫茂娟;郗名悦
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了用于工件的表面处理的工艺。在一个示例实施中,有机自由基(例如,甲基CH3自由基)可在远程等离子体源中通过激发和/或解离氢和/或惰性气体(例如,Ar、He等)并且随后与有机分子(烷烃和烯烃)反应生成。有机自由基(例如,甲基CH3自由基)可暴露于硅和/或硅锗表面。在暴露于有机自由基后,硅和/或硅锗表面可在空气中稳定一段时间(例如,几天),同时减少表面氧化,使得可以有效地保护硅和/或硅锗表面免受氧化。正因如此,可消除在随后工艺步骤前的天然表面氧化物去除工艺。
搜索关键词: 半导体设备 制造 材料 去除 表面 处理 整合
【主权项】:
暂无信息
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