[发明专利]具有减少的远场辐射的对称量子位在审
申请号: | 201980045189.7 | 申请日: | 2019-07-30 |
公开(公告)号: | CN112368838A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | V·阿迪格;M·桑博格;J·晁;H·佩克 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/18 | 分类号: | H01L27/18;G06N10/00;H01L39/22;H01L39/24 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 邹丹 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了具有减少的远场辐射的对称量子位。在一个实例中,一个量子位装置(100)包括定位在该量子位装置的限定的位置周围的第一组超导电容器焊盘(110),其中该第一组超导电容器焊盘包括具有一个第一极性的两个或更多个超导电容器焊盘,以及第二组超导电容器焊盘(112),该第二组超导电容器焊盘以与该第一组超导电容器焊盘交替布置的方式定位在该量子位装置的限定位置周围,其中该第二组超导电容器焊盘包括两个或更多个超导电容器焊盘,这些超导电容器焊盘具有与该第一极性相反的第二极性。 | ||
搜索关键词: | 具有 减少 辐射 对称 量子 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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