[发明专利]半导体装置的制造方法、热固性树脂组合物及切晶粘晶一体型膜在审
| 申请号： | 201980045678.2 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN112385016A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 山本和弘;国土由衣;藤尾俊介 | 申请（专利权）人： | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J11/04;C09J201/00;H01L21/52;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一方面所涉及的半导体装置的制造方法包括：准备切晶粘晶一体型膜的工序，所述切晶粘晶一体型膜具备黏合层、压敏胶黏层及基材膜，所述黏合层由120℃下的熔融粘度为3100Pa·s以上的热固性树脂组合物形成；将切晶粘晶一体型膜的黏合层侧的面与半导体晶圆贴合的工序；切割半导体晶圆的工序；通过扩张基材膜而获得带黏合剂的半导体元件的工序；自压敏胶黏层拾取带黏合剂的半导体元件的工序；将该半导体元件经由所述黏合剂而层叠于其他半导体元件的工序；以及使所述黏合剂热固化的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 热固性 树脂 组合 切晶粘晶一 体型 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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