[发明专利]摄像元件和摄像装置在审
| 申请号： | 201980045788.9 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN112385042A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 富樫秀晃;竹尾萌枝;西田翔;山元纯平;福冈慎平;重歳卓志 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/30;H04N5/369;H04N5/374;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例的摄像元件包括：半导体基板，其具有彼此相对的一个表面和另一个表面，并具有在一个表面和另一个表面之间贯通的通孔；第一光电转换单元，其设置在半导体基板的一个表面上方；贯通电极，其与第一光电转换单元电连接，并在通孔内贯通半导体基板；第一电介质膜，其设置在半导体基板的一个表面上并具有第一膜厚；以及第二电介质膜，其设置在通孔的侧面上，并具有小于第一膜厚的第二膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 摄像 元件 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
