[发明专利]用于回旋加速器的低腐蚀内部离子源在审
| 申请号： | 201980045922.5 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN112424901A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | R·巴雷拉·阿朗索 | 申请（专利权）人： | 能源环境和技术研究中心 |
| 主分类号： | H01J27/04 | 分类号： | H01J27/04;H05H7/18 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 於菪珉 |
| 地址： | 西班牙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低腐蚀射频离子源，包括：中空主体(11)，所述中空主体(11)具有限定圆柱形腔(13)的导电内壁，具有用于形成等离子体的气体的供气入口(14)以及用于将射频能量注入所述腔(13)中的电源入口(21)。膨胀室(16)，所述膨胀室(16)借助等离子体出口孔(17)连接到所述腔(13)。离子提取孔口(18)，所述离子提取孔口(18)与所述膨胀室(16)接触。同轴导体(15)，所述同轴导体(15)设置在所述腔(13)中，平行于其纵向轴，所述同轴导体(15)的一端或两端与所述主体(11)的圆形内壁接触，从而形成同轴共振腔；所述同轴导体(15)具有与所述等离子体出口孔(17)相对并径向地延伸到所述腔(13)中的导电突起(22)。其大幅减少了导电材料的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 回旋加速器 腐蚀 内部 离子源 | ||
【主权项】：
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