[发明专利]在完全对齐的通孔中进行通孔预填充在审
| 申请号： | 201980046381.8 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN112514049A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 赵烈;阿图尔·科利奇;耶兹迪·多尔迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 集成电路(IC)中的导电结构包括底部金属线和顶部金属线，其中通孔提供底部金属线和顶部金属线之间的电互连。通孔完全对齐底部金属线和顶部金属线。导电材料填充形成在介电材料中的开口以形成通孔，并且该导电材料与底部金属线直接接触。底部金属线和通孔之间没有扩散阻挡层和/或衬里层。 | ||
| 搜索关键词： | 完全 对齐 通孔中 进行 通孔预 填充 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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