[发明专利]功率半导体模块、掩模、测量方法、计算机软件和记录介质在审

专利信息
申请号: 201980046808.4 申请日: 2019-06-04
公开(公告)号: CN112424944A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: N·德格雷纳 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/739;H03K17/082
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种功率半导体模块(1)包括:‑至少一个IGBT,其具有形成第一电极(11)的栅极G和形成第二电极(12)的发射极E,或者‑至少一个MOSFET,其具有形成第一电极(11)的栅极G和形成第二电极(12)的源极S。第一电极(11)包括制成单件的多晶硅材料。该单件部分地由监测部分(13)制成。该监测部分(13)与第二电极(12)电接触,使得在功率半导体模块(1)的操作状态下泄漏电流在第一电极(11)和第二电极(12)之间流动。监测部分(13)具有一起选择的位置、形式、尺寸和材料组成,使得在功率半导体模块(1)的操作状态期间根据其温度具有可变电阻。
搜索关键词: 功率 半导体 模块 掩模 测量方法 计算机软件 记录 介质
【主权项】:
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