[发明专利]包含碳化硅晶片的半导体晶片以及SiC半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201980047401.3 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN112424402B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 武井真也;箕谷周平;市川治人;高桥一平;若杉幸宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;G03F7/20;H01L21/66;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体晶片中，在碳化硅晶片(10a)的表面具备由碳化硅构成的外延层(10b)。该半导体晶片中，通过进行外延层的表面的平坦度的评价的表面形状测定装置，在评价区内进行上述外延层的多个点的高度测定，并且进行基于该测定的高度的最小二乘法的运算从而决定表面基准面，在中心位置与评价区相同并且范围与评价区不同的曝光区内，以表面基准面为基准，将最高位置的高度设为α，将最低位置的高度设为β，将弯曲值设为|α|+|β|时，使得满足弯曲值为1μm以下的条件。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 碳化硅 晶片 半导体 以及 sic 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社电装，未经株式会社电装许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980047401.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
