[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980048314.X | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112437978A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 牛膓哲雄;福崎勇三;三宅慎一;富田一行 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种半导体装置，包括：基底30；第一FET 10n，其中，层压各自包括具有纳米线结构12n的沟道部分13n、栅极绝缘膜14、栅极电极27n的至少两个沟道结构11n；以及第二FET 20n，包括沟道形成层23n、栅极绝缘层24以及栅极电极27n；其中，第一FET 10n和第二FET 20n形成在基底30的上方；第一FET 10n的沟道部分13n在沟道结构11n的层压方向上彼此隔开；并且其中，第一FET 10n的沟道部分13n与沟道部分13n之间的距离由L |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
