[发明专利]组合物、组合物的制造方法及不饱和化合物的制造方法在审
申请号: | 201980048363.3 | 申请日: | 2019-08-16 |
公开(公告)号: | CN112469694A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 西村宪人;大野胜俊 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | C07C265/04 | 分类号: | C07C265/04;C07C231/10;C07C233/18;C07C263/10;C07C269/02;C07C271/16;C07C271/60;C07C275/10;C07C333/04;C07D231/12;C08G18/81;C07B61/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 马妮楠;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
该组合物为包含通式(1)所示的化合物(A)、和通式(2)所示的化合物(B)的组合物,其中,相对于上述化合物(A)100质量份,含有上述化合物(B)0.00002~2.0质量份。(R |
||
搜索关键词: | 组合 制造 方法 不饱和 化合物 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社,未经昭和电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980048363.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:碳化硅外延衬底和碳化硅半导体器件的制造方法
- 下一篇:抑制大脑炎症的方法