[发明专利]非UV高硬度低介电常数膜沉积在审
申请号: | 201980048633.0 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN112513321A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | S·慕克吉;B·谢;K·M·赵;K·S·伊姆;D·帕德希;A·加格 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/448;C23C16/505;C23C16/52;C23C16/458;H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文所述的实施例提供通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来形成具有高硬度的低k碳掺杂氧化硅(CDO)层的方法。此方法包括以载气流率提供载气和以前驱物流率将CDO前驱物提供到工艺腔室。以一功率水平和一频率将射频(RF)功率施加至CDO前驱物。CDO层沉积在工艺腔室内的基板上。 | ||
搜索关键词: | uv 硬度 介电常数 沉积 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980048633.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于泛光照明和主动深度感测的可调节光投射器
- 下一篇:有机电子器件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的