[发明专利]使用含硅和含碳前体的基于远程等离子体的碳化硅膜沉积在审
| 申请号： | 201980049654.4 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN112514030A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 巴德里·N·瓦拉达拉简;马修·斯科特·韦默;加尔博卡·赫瓦格·拉扬·萨维特拉;龚波;桂喆 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可以使用远程等离子体化学气相沉积(CVD)技术沉积经掺杂或未经掺杂的碳化硅膜。将一种或多种含硅前体提供至反应室。以实质上低能态或基态提供自由基物质，例如氢的自由基物质，并且其与一种或多种含硅前体相互作用以沉积碳化硅膜。含碳前体可以与一种或多种含硅前体一起流动，其中该含碳前体具有一或更多个碳‑碳双键或三键，且每一含硅前体为具有至少一个硅原子的基于硅烷的前体，其具有两或更多个的与该硅原子键合的氢原子。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 含碳前体 基于 远程 等离子体 碳化硅 沉积 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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