[发明专利]正入射原位过程监测传感器在审
| 申请号： | 201980050131.1 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN112514043A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 孟庆玲;霍尔格·图特耶;赵强;褚汉友;田新康 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66;H01L21/3065;G01N21/95;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于在等离子体加工室中进行原位蚀刻监测的装置、系统和方法。该装置包括连续波宽带光源、照射系统、收集系统和处理电路，该连续波宽带光源用于产生入射光束，该照射系统被配置为照射衬底上的区域，其中入射光束以正入射被引导到该衬底，该收集系统被配置为收集从该衬底上的照射区域反射的反射光束，并且将该反射光束引导到检测器。该处理电路被配置为处理该反射光束以抑制背景光，基于参考光束和被处理以抑制该背景光的该反射光束来确定该衬底或形成在其上的结构的性能，并且基于所确定的性能来控制蚀刻过程。 | ||
| 搜索关键词： | 入射 原位 过程 监测 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
