[发明专利]晶体化合物、氧化物烧结体、溅射靶、晶质及无定形氧化物薄膜、薄膜晶体管及电子设备有效
| 申请号： | 201980050258.3 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN112512991B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;柴田雅敏;川岛绘美;佐佐木健一;八百笃史 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C01G15/00;C23C14/08;C23C14/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 陈亦欧;毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种晶体结构化合物A，以下述组成式(2)表示，在利用下述(A)～(K)所规定的X射线(Cu‑Kα射线)衍射测量观测到的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰。(In |
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| 搜索关键词： | 晶体 化合物 氧化物 烧结 溅射 无定形 薄膜 薄膜晶体管 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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