[发明专利]薄膜形成装置及使用其的薄膜形成方法在审
| 申请号： | 201980050657.X | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112602167A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 具泍会;黄喆周 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/455;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜形成装置和使用其的薄膜形成方法，其能够通过在薄膜形成装置的处理腔室中划分反应空间，从而在第一空间中在衬底上形成硅薄膜并在第二空间中通过使用等离子体对在第一空间中形成的硅薄膜的表面进行处理来改善硅薄膜的膜质量。通过根据本公开的薄膜形成装置和使用其的薄膜形成方法，在图案复杂化且图案深度增大的趋势下，可以更有效地去除薄膜中的杂质，可以在图案上形成均匀的薄膜，并且可以使硅薄膜的晶体的晶粒尺寸均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 装置 使用 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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