[发明专利]半导体元件被覆用玻璃以及使用其的半导体被覆用材料有效

专利信息
申请号: 201980051230.1 申请日: 2019-09-13
公开(公告)号: CN112512983B 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 广濑将行 申请(专利权)人: 日本电气硝子株式会社
主分类号: C03C8/04 分类号: C03C8/04;C03C8/14;H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的半导体元件被覆用玻璃的特征在于,作为玻璃组成,以摩尔%计含有SiO235~65%、ZnO 25~50%、SiO2+ZnO 65%以上且低于90%、Al2O32~14%、B2O30~10%、MgO+CaO 3~15%,且实质上不含铅成分。
搜索关键词: 半导体 元件 被覆 玻璃 以及 使用 用材
【主权项】:
暂无信息
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