[发明专利]离子植入系统、用于处理离子束的装置有效
| 申请号： | 201980051322.X | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112514026B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 法兰克·辛克莱 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J49/06;H01J49/00;H05H7/22;H05H9/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种离子植入系统、用于处理离子束的装置及方法。所述装置可包括：第一接地漂移管，被布置成接受连续离子束；至少两个交流漂移管，在第一接地漂移管下游串联布置；以及第二接地漂移管，位于至少两个交流漂移管下游。所述装置可包括交流电压装配件，电耦合到所述至少两个交流漂移管。所述交流电压装配件可包括第一交流电压源，所述第一交流电压源被耦合用于以第一频率将第一交流电压信号传送到所述至少两个交流漂移管中的第一交流漂移管。所述交流电压装配件可进一步包括第二交流电压源，所述第二交流电压源被耦合用于以第二频率将第二交流电压信号传送到所述至少两个交流漂移管中的第二交流漂移管，其中所述第二频率包括所述第一频率的整数倍。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 植入 系统 用于 处理 离子束 装置 | ||
【主权项】：
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