[发明专利]评估对象的区域的方法在审
| 申请号： | 201980051549.4 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN112585735A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | O·施内尤;R·纳夫塔利;R·普拉特 | 申请（专利权）人： | 应用材料以色列公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;H01L29/66;H01L27/11556;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 以色列瑞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种用于评估对象的区域的方法，方法可包括对于区域的第一子区域直到区域的倒数第二子区域中的每个子区域，重复以下步骤：(a)通过带电粒子成像器来获取子区域的带电粒子图像；以及(b)通过带电粒子研磨机来研磨子区域，以暴露区域的另一个子区域；通过带电粒子成像器来获取区域的最后一个子区域的带电粒子图像；以及基于区域的第一子区域直到最后一个子区域的带电粒子图像来产生关于区域的内容的三维信息。 | ||
| 搜索关键词： | 评估 对象 区域 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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