[发明专利]薄膜晶体管、显示装置和薄膜晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201980051695.7 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN112514080A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 境武志;户田达也;津吹将志 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336;H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 邸万杰;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明能够抑制将氧化物半导体作为活性层的晶体管中的随时间推移的低漏极电压时的电流降低。本发明的薄膜晶体管包括：由至少包含铟和镓的氧化物半导体形成的活性层；和形成在上述活性层上的具有钛层的电极层，从上述活性层与上述电极层的界面向上述活性层去的15nm的范围内的离子浓度中，铟浓度为氧浓度的1.3倍以下。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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