[发明专利]利用基于TCR元件的加热器渐进式加热衬底的部件在审
| 申请号： | 201980052766.5 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN112585738A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 拉梅什·钱德拉塞卡拉;伊斯瓦·斯里尼瓦桑 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种用于衬底处理系统的加热部件的加热器控制系统包含N个加热器区域，其中N为大于零的整数。所述N个加热器区域中的每一个加热所述衬底处理系统的部件，并且包含电阻式加热器以及温度传感器，该温度传感器用于感测所述N个加热器区域中的对应的加热器区域的局部温度。控制器被配置成：基于所述N个加热器区域中的每一个中的所述电阻式加热器的电阻，确定所述N个加热器区域中的每一个的平均温度。所述控制器基于所述N个加热器区域中的每一个的所述平均温度与所述局部温度控制所述电阻式加热器。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 基于 tcr 元件 加热器 渐进 加热 衬底 部件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
