[发明专利]从室清除SnO2在审

申请号：	201980053179.8	申请日：	2019-08-07
公开（公告）号：	CN112640041A	公开（公告）日：	2021-04-09
发明（设计）人：	阿希尔·辛格哈尔;达斯汀·扎卡里·奥斯丁;何钟硕;刘培池	申请（专利权）人：	朗姆研究公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67
代理公司：	上海胜康律师事务所 31263	代理人：	李献忠;张华
地址：	美国加利***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	提供了一种从处理室清除SnO2残留物的方法以作为一实施方案。该方法实施方案包含将烃气和氢气以1％至60％的比率引入等离子体处理系统中。利用由等离子体源所产生的等离子体以从处理室的表面蚀刻该SnO2残留物。该SnH4气体与该烃气进行反应以生成可挥发的有机锡化合物。该方法还提供将该有机锡化合物从该处理室中排空。以1％至60％的比率将该烃气与该氢气一起引入使得SnH4气体分解成Sn粉末的速率降低。
搜索关键词：	清除 sno base sub
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